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Technische Details STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STGB20NB41LZT4 nach Preis ab 2.62 EUR bis 6.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: IGBT 442V 40A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
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| STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 20A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: internally clamped Application: automotive industry; ignition systems Version: ESD |
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