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Technische Details STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 442V 40A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs, Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off), Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 46 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 200 W.
Weitere Produktangebote STGB20NB41LZT4 nach Preis ab 2.62 EUR bis 6.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: IGBT 442V 40A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB20NB41LZT4 - IGBT, 40 A, 1.3 V, 200 W, 412 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 412V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 382V 40A 200W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB20NB41LZT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 442V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 20A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 1µs/12.1µs Switching Energy: 5mJ (on), 12.9mJ (off) Test Condition: 320V, 20A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 46 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 442 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 200 W |
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