STGB30H60DLFB STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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| 100+ | 5.19 EUR |
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| 500+ | 4.61 EUR |
| 1000+ | 3.26 EUR |
| 2000+ | 3.17 EUR |
| 5000+ | 3.13 EUR |
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Technische Details STGB30H60DLFB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 650V HB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STGB30H60DLFB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STGB30H60DLFB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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STGB30H60DLFB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H60DLFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB30H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB30H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGB30H60DLFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 393µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
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