STGB30H65DFB2 STMicroelectronics
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.91 EUR |
| 10+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 250+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.94 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STGB30H65DFB2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 167W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HB2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STGB30H65DFB2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 167W euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 167 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: D2PAK-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 167 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| STGB30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |