STGB30H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 167W
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details STGB30H65DFB2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 167W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HB2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STGB30H65DFB2 nach Preis ab 1.73 EUR bis 6.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STGB30H65DFB2 | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package |
auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGB30H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGB30H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.37 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.75 EUR |
| 2000+ | 1.73 EUR |
| STGB30H65DFB2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.18 EUR |
| 63+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |