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STGB30V60DF

STGB30V60DF STMicroelectronics

stgb30v60df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns
Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
auf Bestellung 439 Stücke:
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Technische Details STGB30V60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: D2PAK, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Weitere Produktangebote STGB30V60DF nach Preis ab 2.23 EUR bis 6.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGB30V60DF STGB30V60DF STMicroelectronics stgb30v60df.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.5 EUR
10+4.24 EUR
100+2.95 EUR
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STGB30V60DF STGB30V60DF STMICROELECTRONICS 4726814.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGB30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 258W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGB30V60DF
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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STGB30V60DF
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGB30V60DF - IGBT, 60 A, 1.85 V, 258 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Verlustleistung: 258W
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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