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STGB3NC120HDT4

STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics


834cd00047515.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 1200V 14A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 51 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns, Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off), Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 24 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 75 W.

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STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Hersteller : STMicroelectronics 834cd00047515.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00047515.pdf Description: IGBT 1200V 14A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 75 W
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STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Hersteller : STMicroelectronics 834cd00047515.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00047515.pdf Description: IGBT 1200V 14A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/118ns
Switching Energy: 236µJ (on), 290µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
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Power - Max: 75 W
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STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Hersteller : STMicroelectronics stgb3nc120hd-1850713.pdf IGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
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STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Hersteller : STMICROELECTRONICS 1790274.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGB3NC120HDT4 - IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGB3NC120HDT4 STGB3NC120HDT4 Hersteller : STMicroelectronics 834cd00047515.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 14A 75000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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