STGB40H65FB

STGB40H65FB STMicroelectronics


stgb40h65fb.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details STGB40H65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00306732.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007407358-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0007407358-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGB40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics stgb40h65fb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics stgb40h65fb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics stgb40h65fb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics stgb40h65fb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGB40H65FB STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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STGB40H65FB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00306732.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 283W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.21µC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
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