
STGD10HF60KD STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Ultrafast diode
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 3.89 EUR |
10+ | 2.59 EUR |
100+ | 1.81 EUR |
500+ | 1.47 EUR |
1000+ | 1.36 EUR |
2500+ | 1.31 EUR |
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Technische Details STGD10HF60KD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns, Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 23 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 62.5 W, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote STGD10HF60KD nach Preis ab 1.46 EUR bis 4.08 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STGD10HF60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62.5 W Qualification: AEC-Q101 |
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STGD10HF60KD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD10HF60KD | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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STGD10HF60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
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STGD10HF60KD | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62.5 W Qualification: AEC-Q101 |
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