STGD25N36LZAG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.93 EUR |
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Technische Details STGD25N36LZAG STMicroelectronics
Description: DISCRETE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs, Gate Charge: 25.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 150 W.
Weitere Produktangebote STGD25N36LZAG nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STGD25N36LZAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 442500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD25N36LZAG | Hersteller : STMicroelectronics | IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGD25N36LZAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 102500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD25N36LZAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGD25N36LZAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 325V 25A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGD25N36LZAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 1.1µs/7.4µs Gate Charge: 25.7 nC Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 150 W |
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