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STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics


STGD3NB60SD.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 48 W
auf Bestellung 2500 Stücke:

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Technische Details STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-, Switching Energy: 1.15mJ (off), Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V, Gate Charge: 18 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A, Power - Max: 48 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Description: IGBT 600V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 125µs/-
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 48 W
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STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics stgd3nb60sd-2489227.pdf IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
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STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD3NB60SDT4 STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics cd0002251.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGD3NB60SDT4 Hersteller : STMicroelectronics STGD3NB60SD.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 3A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 25A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 48W
Gate charge: 18nC
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