Produkte > STMICROELECTRONICS > STGD4H60DF
STGD4H60DF

STGD4H60DF STMICROELECTRONICS

4015107.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.88 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 133 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STGD4H60DF STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns, Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off), Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 35 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A, Power - Max: 75 W.

Weitere Produktangebote STGD4H60DF nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGD4H60DF STGD4H60DF STMICROELECTRONICS 4015107.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DF STGD4H60DF STMicroelectronics stgd4h60df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DF STGD4H60DF STMicroelectronics stgd4h60df.pdf IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DF 4015107.pdf
STGD4H60DF
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD4H60DF - IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.88 EUR
186+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DF stgd4h60df.pdf
STGD4H60DF
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: DPAK (TO-252) type C2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/121ns
Switching Energy: 68µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.4 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGD4H60DF stgd4h60df.pdf
STGD4H60DF
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.51 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH