STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 3.8 EUR |
17+ | 3.17 EUR |
100+ | 2.54 EUR |
250+ | 2.13 EUR |
500+ | 1.81 EUR |
1000+ | 1.7 EUR |
2500+ | 1.65 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Supplier Device Package: DPAK, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns, Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off), Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 62 W.
Weitere Produktangebote STGD8NC60KDT4
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 8A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 8A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
Produkt ist nicht verfügbar |