Technische Details STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 62W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote STGD8NC60KDT4 nach Preis ab 0.77 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD8NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 62W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD8NC60KDT4 | STMicroelectronics |
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET |
auf Bestellung 2419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGD8NC60KDT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 62W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGD8NC60KDT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.81 EUR |
| 10000+ | 0.77 EUR |
| STGD8NC60KDT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
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Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.42 EUR |
| 144+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| STGD8NC60KDT4 |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
auf Bestellung 2419 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.22 EUR |
| 10+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 2500+ | 0.84 EUR |
| STGD8NC60KDT4 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
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Produktpalette: PowerMESH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 4.07 EUR |
| 97+ | 2.42 EUR |
| 144+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |