STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
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Technische Details STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STGD8NC60KDT4
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 8A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Supplier Device Package: DPAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19 nC Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 62 W |
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| STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 8A; 62W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 8A Power dissipation: 62W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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