STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.71 EUR |
| 10+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.16 EUR |
| 500+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2500+ | 0.71 EUR |
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Technische Details STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 15A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STGD8NC60KDT4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGD8NC60KDT4 - IGBT, 15 A, 2.2 V, 62 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGD8NC60KDT4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 15A 62W DPAK Power - Max: 62 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Gate Charge: 19 nC Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns Supplier Device Package: DPAK Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |