STGF10H60DF

STGF10H60DF STMicroelectronics


stgb10h60df-1850795.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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Technische Details STGF10H60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns, Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 57 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 30 W.

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STGF10H60DF STGF10H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgf10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF10H60DF STGF10H60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00092752.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 30 W
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STGF10H60DF STGF10H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgf10h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF10H60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00092752.pdf STGF10H60DF THT IGBT transistors
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