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STGF30M65DF2

STGF30M65DF2 STMicroelectronics

2688666956056133dm0015.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details STGF30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 38 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics 2688666956056133dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 38 W
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STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 STMICROELECTRONICS en.DM00157912.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 525 Stücke:
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40+6.38 EUR
80+2.93 EUR
100+2.65 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
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Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
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Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsCompliant: YES
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Dauerkollektorstrom: 60A
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Produktpalette: 650V M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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