STGFW20V60F STMicroelectronics
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Technische Details STGFW20V60F STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 40A 52W TO3PF, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3PF, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns, Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15V, Gate Charge: 116 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 52 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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STGFW20V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 52000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGFW20V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
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| STGFW20V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
STGFW20V60F THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGFW20V60F | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 40A 52W TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/149ns Switching Energy: 200µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15V Gate Charge: 116 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 52 W |
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