Produkte > STMICROELECTRONICS > STGH30H65DFB-2AG
STGH30H65DFB-2AG

STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics

stgh30h65dfb-2ag.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: H2Pak-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns, Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 260 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote STGH30H65DFB-2AG nach Preis ab 2 EUR bis 8.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMICROELECTRONICS 3773982.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.31 EUR
43+3.97 EUR
44+3.78 EUR
50+3.61 EUR
100+2.76 EUR
250+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics en.dm00872062.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.31 EUR
43+4.06 EUR
44+3.93 EUR
50+3.81 EUR
100+2.99 EUR
250+2.92 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+4.99 EUR
100+3.5 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
2000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics stgh30h65dfb-2ag.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.06 EUR
100+3.55 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG STGH30H65DFB-2AG STMICROELECTRONICS 3773982.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.62 EUR
41+5.78 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG 3773982.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG en.dm00872062.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.31 EUR
43+3.97 EUR
44+3.78 EUR
50+3.61 EUR
100+2.76 EUR
250+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG en.dm00872062.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.31 EUR
43+4.06 EUR
44+3.93 EUR
50+3.81 EUR
100+2.99 EUR
250+2.92 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG stgh30h65dfb-2ag.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.6 EUR
10+4.99 EUR
100+3.5 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.7 EUR
2000+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG stgh30h65dfb-2ag.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: H2Pak-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/170ns
Switching Energy: 555µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 260 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.69 EUR
10+5.06 EUR
100+3.55 EUR
500+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGH30H65DFB-2AG 3773982.pdf
STGH30H65DFB-2AG
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGH30H65DFB-2AG - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 650 V, H2PAK, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.62 EUR
41+5.78 EUR
100+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH