STGP10H60DF STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.29 EUR |
| 10+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 2000+ | 0.97 EUR |
| 5000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details STGP10H60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 107 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns, Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 57 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.
Weitere Produktangebote STGP10H60DF nach Preis ab 1.44 EUR bis 3.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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STGP10H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 107 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 115 W |
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STGP10H60DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGP10H60DF - IGBT, 20 A, 1.5 V, 115 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 312 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGP10H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGP10H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGP10H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGP10H60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 115W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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