Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote STGP10NC60HD nach Preis ab 1.4 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: THT Gate charge: 19.2nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
| STGP10NC60HD | Hersteller : STM |
IGBT 600V 20A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
|
|
STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs PowerMESH TM IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |



