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Technische Details STGP10NC60HD STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 20A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220, Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns, Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off), Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 19.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 65 W.
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STGP10NC60HD Produktcode: 110310
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STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 20A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-220 Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 19.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 65 W |
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STGP10NC60HD | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs PowerMESH TM IGBT |
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