Produkte > STMICROELECTRONICS > STGP15M65DF2
STGP15M65DF2

STGP15M65DF2 STMicroelectronics


en.DM00237971.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.45 EUR
10+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.4 EUR
5000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STGP15M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 142 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns, Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 45 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 136 W.

Weitere Produktangebote STGP15M65DF2

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STGP15M65DF2 STGP15M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 941051863018219dm002.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 941051863018219dm002.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2 STGP15M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 941051863018219dm002.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2 STGP15M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00237971.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP15M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00237971.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH