STGP20H60DF

STGP20H60DF STMicroelectronics


en.DM00066598.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns
Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 167 W
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Technische Details STGP20H60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 42.5ns/177ns, Switching Energy: 209µJ (on), 261µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 167 W.

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STGP20H60DF STGP20H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb20h60df-1850770.pdf IGBT Transistors 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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STGP20H60DF STGP20H60DF Hersteller : STMicroelectronics 4138dm00066598.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP20H60DF STGP20H60DF Hersteller : STMicroelectronics 4138dm00066598.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP20H60DF Hersteller : STMicroelectronics 4138dm00066598.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP20H60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGP20H60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00066598.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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