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STGP20H65DFB2 STMicroelectronics


en.dm00706249.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details STGP20H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 215 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns, Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 147 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGP20H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00706249.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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STGP20H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00706249.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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STGP20H65DFB2 STGP20H65DFB2 Hersteller : STMICROELECTRONICS Description: STMICROELECTRONICS - STGP20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGP20H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGP20H65DFB2 STGP20H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W
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STGP20H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
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STGP20H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
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