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STGP20H65DFB2 STMicroelectronics

Name: STGP20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 40110562-5
Price: 1390.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Technische Details STGP20H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 215 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns, Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 147 W.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
STGP20H65DFB2	STMicroelectronics	Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 215 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 56 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 147 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STGP20H65DFB2	STMicroelectronics	IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STGP20H65DFB2	STMicroelectronics	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STGP20H65DFB2

Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 215 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns
Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 147 W

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STGP20H65DFB2

Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag

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STGP20H65DFB2

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 147W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube

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