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STGP30H60DFB

STGP30H60DFB STMicroelectronics


stgb30h60dfb.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STGP30H60DFB STMicroelectronics

Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

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STGP30H60DFB STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP30H60DFB STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Description: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
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STGP30H60DFB STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP30H60DFB STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics stgb30h60dfb-1850973.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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STGP30H60DFB STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP30H60DFB STGP30H60DFB Hersteller : STMICROELECTRONICS 2614848.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGP30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 260W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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STGP30H60DFB STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics stgb30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGP30H60DFB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00125119.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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