Produkte > STMICROELECTRONICS > STGP30M65DF2
STGP30M65DF2

STGP30M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00155781.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
25+2.86 EUR
26+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STGP30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.

Weitere Produktangebote STGP30M65DF2 nach Preis ab 1.56 EUR bis 4.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 258W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
25+2.86 EUR
26+2.75 EUR
50+2.53 EUR
150+2.27 EUR
500+2.13 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.8 EUR
10+2.01 EUR
100+1.9 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.71 EUR
2000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00155781.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.84 EUR
50+2.41 EUR
100+2.18 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 STGP30M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGP30M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 2342469140396072dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH