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STGP5H60DF

STGP5H60DF STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72 Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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46+1.59 EUR
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Technische Details STGP5H60DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns, Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off), Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 43 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A, Power - Max: 88 W.

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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD838146B54E5AE0D2&compId=stgp5h60df.pdf?ci_sign=a8e2c89f0a67ac1178f4e13972cb2605e2adee72 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 88W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb5h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00149621.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00149621.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 88 W
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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371813.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGP5H60DF - IGBT, 10 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb5h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgp5h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP5H60DF STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgb5h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STGP5H60DF Hersteller : STMicroelectronics stgp5h60df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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