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STGSB200M65DF2AG

STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics


en.DM00710944.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns
Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 554 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 216 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A
Power - Max: 714 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 216A 9ACEPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: 9-PowerSMD, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 174.5 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 200A, Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 122ns/250ns, Switching Energy: 3.82mJ (on), 6.97mJ (off), Test Condition: 400V, 200A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 554 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 216 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 700 A, Power - Max: 714 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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STGSB200M65DF2AG STGSB200M65DF2AG Hersteller : STMicroelectronics stgsb200m65df2ag-2956148.pdf IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT
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STGSB200M65DF2AG Hersteller : STMicroelectronics stgsb200m65df2ag.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714000mW Automotive 9-Pin SMIT T/R
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STGSB200M65DF2AG Hersteller : STMicroelectronics stgsb200m65df2ag.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 216A 714W Automotive AEC-Q101 9-Pin SMIT T/R
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