STGSH50M120D STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Dauerkollektorstrom: 69A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details STGSH50M120D STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Dauerkollektorstrom: 69A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STGSH50M120D nach Preis ab 22.57 EUR bis 40.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STGSH50M120D | STMicroelectronics |
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 9-PowerSMD Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Power - Max: 536 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGSH50M120D | STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGSH50M120D | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Dauerkollektorstrom: 69A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGSH50M120D |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerSMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 536 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35.33 EUR |
| 10+ | 25.26 EUR |
| 100+ | 24.26 EUR |
| STGSH50M120D |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 37.28 EUR |
| 10+ | 26.68 EUR |
| 100+ | 22.57 EUR |
| STGSH50M120D |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 69A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Dauerkollektorstrom: 69A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 6+ | 40.42 EUR |
| 10+ | 33.68 EUR |