STGSH50M120D STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 536 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 29.69 EUR |
| 10+ | 21.23 EUR |
| 100+ | 20.39 EUR |
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Technische Details STGSH50M120D STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Dauerkollektorstrom: 69A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STGSH50M120D nach Preis ab 21.44 EUR bis 30.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STGSH50M120D | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGSH50M120D | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Dauerkollektorstrom: 69A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGSH50M120D | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH50M120D - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Dauerkollektorstrom: 69A Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGSH50M120D | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerSMD Mounting Type: Surface Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 536 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3152 pF @ 25 V |
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