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STGSH80HB65DAG

STGSH80HB65DAG STMicroelectronics


Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
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Technische Details STGSH80HB65DAG STMicroelectronics

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A, Case: ACEPACK SMIT, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 68A, Power dissipation: 250W, Pulsed collector current: 269A, Max. off-state voltage: 650V, Electrical mounting: SMT.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGSH80HB65DAG STMicroelectronics STGSH80HB65DAG.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 269A
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: SMT
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STGSH80HB65DAG STGSH80HB65DAG.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A
Case: ACEPACK SMIT
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 68A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 269A
Max. off-state voltage: 650V
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