STGSH80HB65DAG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
IGBT Transistors Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 38.28 EUR |
| 10+ | 34.02 EUR |
| 25+ | 31.73 EUR |
| 50+ | 30.75 EUR |
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Technische Details STGSH80HB65DAG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 83A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STGSH80HB65DAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STGSH80HB65DAG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMITtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 83A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGSH80HB65DAG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGSH80HB65DAG - IGBT-Modul, AQG-324, Halbbrücke, 83 A, 1.7 V, 250 W, 175 °C, ACEPACK SMIT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 83A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGSH80HB65DAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 269A Power dissipation: 250W Electrical mounting: SMT Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGSH80HB65DAG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 68A Case: ACEPACK SMIT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 68A Pulsed collector current: 269A Power dissipation: 250W Electrical mounting: SMT Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge |
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