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STGW10M65DF2

STGW10M65DF2 STMicroelectronics


stgw10m65df2-1850804.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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Technische Details STGW10M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 96 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns, Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 115 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGW10M65DF2 STGW10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 234568805844074865.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00276219.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STGW10M65DF2 STGW10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 234568805844074865.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW10M65DF2 STGW10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00276219.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
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STGW10M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00276219.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 115W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 28nC
Mounting: THT
Case: TO247-3
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