Technische Details STGW25H120DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 303 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns, Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote STGW25H120DF2 nach Preis ab 2.33 EUR bis 7.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STGW25H120DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW25H120DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 303 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 375 W |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW25H120DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed |
auf Bestellung 1143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW25H120DF2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW25H120DF2 - IGBT, 50 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: H Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (05-Nov-2025) |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW25H120DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGW25H120DF2 | Hersteller : STM |
IGBT 1200V 25A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGW25H120DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 50 А, Pmax, Вт = 375, tз, мс = 0,029, Uce(on), В = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 130,... Група товару: Транзистори Корпус: ТО-247-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 30 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |