Produkte > STMICROELECTRONICS > STGW25H120DF2
STGW25H120DF2

STGW25H120DF2 STMicroelectronics

en.DM00066775.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 303 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns
Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 375 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+7.23 EUR
30+4.03 EUR
120+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STGW25H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 303 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/130ns, Switching Energy: 600µJ (on), 700µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 100 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 375 W.

Weitere Produktangebote STGW25H120DF2 nach Preis ab 5.35 EUR bis 7.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STGW25H120DF2 STGW25H120DF2 STMicroelectronics stgw25h120df2-1850868.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.67 EUR
10+7.57 EUR
25+6.56 EUR
100+6.12 EUR
250+5.76 EUR
600+5.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120DF2 STGW25H120DF2 STMICROELECTRONICS 4726815.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW25H120DF2 - IGBT, 50 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120DF2 stgw25h120df2-1850868.pdf
STGW25H120DF2
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
auf Bestellung 1143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+7.67 EUR
10+7.57 EUR
25+6.56 EUR
100+6.12 EUR
250+5.76 EUR
600+5.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGW25H120DF2 4726815.pdf
STGW25H120DF2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW25H120DF2 - IGBT, 50 A, 2.1 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: H Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (05-Nov-2025)
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH