STGW28IH125DF


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STGW28IH125DF STGW28IH125DF Hersteller : STMicroelectronics 2883401045038626stgw28ih125df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW28IH125DF STGW28IH125DF Hersteller : STMicroelectronics 2883401045038626stgw28ih125df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1250V 60A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW28IH125DF STGW28IH125DF Hersteller : STMicroelectronics STGW28IH125DF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.25kV; 30A; 375W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.25kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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18+4.06 EUR
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STGW28IH125DF STGW28IH125DF Hersteller : STMicroelectronics stgw28ih125df-1850869.pdf IGBTs 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 689 Stücke:
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10+4.61 EUR
25+4.35 EUR
100+3.73 EUR
250+3.48 EUR
600+2.83 EUR
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STGW28IH125DF STGW28IH125DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00095615.pdf Description: IGBT 1250V 60A 375W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/128ns
Switching Energy: 720µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 114 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 375 W
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