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STGW30H60DFB

STGW30H60DFB STMicroelectronics

en.DM00125118.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.7 EUR
30+3.06 EUR
120+2.48 EUR
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Technische Details STGW30H60DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 4398 Stücke:
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1+5.71 EUR
10+3.08 EUR
100+2.51 EUR
600+2.05 EUR
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STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMICROELECTRONICS 2371817.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGW30H60DFB
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 4398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.71 EUR
10+3.08 EUR
100+2.51 EUR
600+2.05 EUR
1200+1.87 EUR
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STGW30H60DFB
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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