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STGW30H60DFB STMicroelectronics

Name: STGW30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 11090119-5
Price: 2.32 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details STGW30H60DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

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STGW30H60DFB

Hersteller : STMicroelectronics

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STGW30H60DFB

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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STGW30H60DFB

Hersteller : STMicroelectronics

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 260W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 149nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW30H60DFB

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STGW30H60DFB

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STGW30H60DFB

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STGW30H60DFB

Hersteller : STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns
Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W

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STGW30H60DFB

Hersteller : STMicroelectronics

IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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STGW30H60DFB

Hersteller : STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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STGW30H60DFB

Hersteller : STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 1.55 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.55V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A

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STGW30H60DFB

Hersteller : STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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