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STGW30H60DFB

STGW30H60DFB STMicroelectronics

stgwt30h60dfb.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGW30H60DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics stgwt30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics stgwt30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics stgw30h60dfb.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 89 Stücke:
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23+3.75 EUR
35+2.5 EUR
38+2.25 EUR
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STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics stgwt30h60dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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34+5.13 EUR
58+2.93 EUR
100+2.61 EUR
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STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMicroelectronics en.DM00125118.pdf IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
auf Bestellung 86 Stücke:
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1+5.71 EUR
10+3.08 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1200+2.01 EUR
2400+1.89 EUR
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STGW30H60DFB STGW30H60DFB STMICROELECTRONICS en.DM00125118.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4161 Stücke:
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37+6.9 EUR
40+5.82 EUR
100+4.84 EUR
500+4.28 EUR
1000+3.75 EUR
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Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 260W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 260W
Gate charge: 149nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
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1200+2.01 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGW30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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40+5.82 EUR
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500+4.28 EUR
1000+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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