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STGW40H65DFB

STGW40H65DFB STMicroelectronics

stgw40h65dfb.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGW40H65DFB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.

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STGW40H65DFB STGW40H65DFB Hersteller : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGW40H65DFB STGW40H65DFB Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DA334E842E3E0D5&compId=STGW40H65DFB.pdf?ci_sign=2a10d4834b6010b5d7d2ffa2bac7629179768ec3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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22+3.32 EUR
23+3.2 EUR
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Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGW40H65DFB STGW40H65DFB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00300212.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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STGW40H65DFB STGW40H65DFB Hersteller : STMicroelectronics en.DM00300212.pdf IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
auf Bestellung 1669 Stücke:
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10+5.83 EUR
25+3.38 EUR
100+2.78 EUR
250+2.31 EUR
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STGW40H65DFB STGW40H65DFB Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371821.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STGW40H65DFB en.DM00300212.pdf
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STGW40H65DFB STGW40H65DFB Hersteller : STMicroelectronics stgw40h65dfb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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