STGW40H65DFB STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 316 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 22+ | 3.36 EUR |
| 23+ | 3.16 EUR |
| 30+ | 2.46 EUR |
| 36+ | 2 EUR |
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Technische Details STGW40H65DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Weitere Produktangebote STGW40H65DFB nach Preis ab 1.68 EUR bis 5.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STGW40H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT |
auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW40H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGW40H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H65DFB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGW40H65DFB |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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STGW40H65DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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