STGW40H65FB STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns
Switching Energy: 498mJ (on), 363mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 6.25 EUR |
| 30+ | 4.94 EUR |
| 120+ | 4.24 EUR |
| 510+ | 3.76 EUR |
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Technische Details STGW40H65FB STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 283W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench HB Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STGW40H65FB nach Preis ab 4.52 EUR bis 9.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H65FB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGW40H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STGW40H65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube |
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