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STGW50H65DFB2-4

STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics

stgw50h65dfb2-4.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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Technische Details STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 92 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns, Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 151 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 86 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 272 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STGW50H65DFB2-4 Hersteller : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STGW50H65DFB2-4 Hersteller : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STGW50H65DFB2-4 Hersteller : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STGW50H65DFB2-4 Hersteller : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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STGW50H65DFB2-4 STGW50H65DFB2-4 Hersteller : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/128ns
Switching Energy: 629µJ (on), 478µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
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STGW50H65DFB2-4 Hersteller : STMicroelectronics stgw50h65dfb2-4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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