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STGW75M65DF2

STGW75M65DF2 STMicroelectronics

en.DM00249589.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns
Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 468 W
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Technische Details STGW75M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.

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STGW75M65DF2 STGW75M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgw75m65df2-1850998.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
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STGW75M65DF2 STGW75M65DF2 Hersteller : STMicroelectronics 41867034659728246f.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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