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STGW8M120DF3

STGW8M120DF3 STMicroelectronics

en.DM00294677.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns
Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off)
Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 167 W
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Technische Details STGW8M120DF3 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 103 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/126ns, Switching Energy: 390µJ (on), 370µJ (Off), Test Condition: 600V, 8A, 33Ohm, 15V, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A, Power - Max: 167 W.

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STGW8M120DF3 STGW8M120DF3 Hersteller : STMicroelectronics stgw8m120df3-1850727.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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