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STGWA15H120DF2

STGWA15H120DF2 STMicroelectronics


en.DM00066773.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 231 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns
Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 259 W
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Technische Details STGWA15H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 231 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/111ns, Switching Energy: 380µJ (on), 370µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 67 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 259 W.

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STGWA15H120DF2 STGWA15H120DF2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004888178-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGWA15H120DF2 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1200V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
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STGWA15H120DF2 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00066773.pdf STGWA15H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 29 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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22+ 3.3 EUR
23+ 3.13 EUR
9000+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 14
STGWA15H120DF2 STGWA15H120DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgw15h120df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA15H120DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgw15h120df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 259W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA15H120DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgw15h120df2-1850840.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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