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STGWA20H65DFB2

STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics

stgwa20h65dfb2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 215 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/78.8ns, Switching Energy: 265µJ (on), 214µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 147 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGWA20H65DFB2 STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics stgwa20h65dfb2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 147W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA20H65DFB2 STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics stgwa20h65dfb2.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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STGWA20H65DFB2 STGWA20H65DFB2 STMICROELECTRONICS 3154049.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 147W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Description: STMICROELECTRONICS - STGWA20H65DFB2 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 147 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
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Verlustleistung: 147W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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