STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns
Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 167 W
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 6.21 EUR |
| 10+ | 4.09 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
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Technische Details STGWA30H65DFB2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 115 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18.4ns/71ns, Switching Energy: 270µJ (on), 310µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 167 W.
Weitere Produktangebote STGWA30H65DFB2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGWA30H65DFB2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30H65DFB2 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGWA30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGWA30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 167mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGWA30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STGWA30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT |
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| STGWA30H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube |
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