STGWA30M65DF2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 80 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 258 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.89 EUR |
| 30+ | 3.78 EUR |
| 120+ | 3.09 EUR |
| 510+ | 2.58 EUR |
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Technische Details STGWA30M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 80 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 258 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V.
Weitere Produktangebote STGWA30M65DF2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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STGWA30M65DF2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 258W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGWA30M65DF2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)