STGWA30M65DF2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 258 W
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.83 EUR |
| 30+ | 3.76 EUR |
| 120+ | 3.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STGWA30M65DF2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.
Weitere Produktangebote STGWA30M65DF2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STGWA30M65DF2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 258W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
STGWA30M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| STGWA30M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
STGWA30M65DF2 THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
STGWA30M65DF2 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
Produkt ist nicht verfügbar |