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STGWA40H65DFB2

STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778 Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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23+3.15 EUR
25+2.97 EUR
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Technische Details STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns, Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.

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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB661C6B6EB80D5&compId=STGWA40H65DFB2.pdf?ci_sign=fddc8df35effdad56d4f360ab2bf8b64b5b77778 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics stgwa40h65dfb2.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/72ns
Switching Energy: 765µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 726 Stücke:
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Anzahl Preis
3+6.48 EUR
30+3.56 EUR
120+2.92 EUR
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008493197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STGWA40H65DFB2 - IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 72A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00596828.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA40H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00596828.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00596828.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 72A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA40H65DFB2 STGWA40H65DFB2 Hersteller : STMicroelectronics stgwa40h65dfb2.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT
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