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STGWA75M65DF2

STGWA75M65DF2 STMicroelectronics

41867034659728246f.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 468W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STGWA75M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 165 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 47ns/125ns, Switching Energy: 690µJ (on), 2.54mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 468 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGWA75M65DF2 STGWA75M65DF2 STMicroelectronics en.DM00249589.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
auf Bestellung 396 Stücke:
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1+13.11 EUR
10+11.02 EUR
100+8.92 EUR
600+7.91 EUR
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STGWA75M65DF2
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