STGWT30H60DFB STMicroelectronics
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Technische Details STGWT30H60DFB STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 60A 260W TO3PL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns, Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Weitere Produktangebote STGWT30H60DFB nach Preis ab 2.52 EUR bis 9.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STGWT30H60DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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STGWT30H60DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 60A 260W TO3PL Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/146ns Switching Energy: 383µJ (on), 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
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STGWT30H60DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STGWT30H60DFB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT30H60DFB - IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWT30H60DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWT30H60DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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| STGWT30H60DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STGWT30H60DFB | Hersteller : STMicroelectronics |
STGWT30H60DFB THT IGBT transistors |
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