STGWT30V60DF STMicroelectronics
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| 72+ | 2.07 EUR |
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Technische Details STGWT30V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 163 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 258 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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STGWT30V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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STGWT30V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBT Transistors 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGWT30V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 181000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGWT30V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 163 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 258 W |
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