Technische Details STGWT60V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 600V 80A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/208ns, Switching Energy: 750µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 334 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote STGWT60V60DF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| STGWT60V60DF | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGWT60V60DF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)