STGWT80V60DF STMicroelectronics
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Technische Details STGWT80V60DF STMicroelectronics
Description: IGBT 600V 120A 469W TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 448 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 469 W.
Weitere Produktangebote STGWT80V60DF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STGWT80V60DF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STGWT80V60DF - IGBT, 120 A, 1.85 V, 469 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 469W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: V Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STGWT80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT 600V 120A 469W TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 60ns/220ns Switching Energy: 1.8mJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 400V, 80A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 448 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 469 W |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGWT80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 469000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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| STGWT80V60DF | Hersteller : STMicroelectronics |
STGWT80V60DF THT IGBT transistors |
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