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STGY40NC60VD

STGY40NC60VD STMicroelectronics


en.CD00003462.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 260W; MAX247
Case: MAX247
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 214nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 260W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
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Technische Details STGY40NC60VD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 80A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 44 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: MAX247™, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns, Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V, Gate Charge: 214 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 260 W.

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STGY40NC60VD STGY40NC60VD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003462.pdf Description: IGBT 600V 80A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: MAX247™
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/140ns
Switching Energy: 330µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V
Gate Charge: 214 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 260 W
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STGY40NC60VD STGY40NC60VD Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003462.pdf IGBTs N Ch 600V 50A Max247
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