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STGY50NC60WD

STGY50NC60WD STMicroelectronics


stgy50nc60wd-1851096.pdf Hersteller: STMicroelectronics
IGBT Transistors 600V 65A N-Channel
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Technische Details STGY50NC60WD STMicroelectronics

Description: IGBT 600V 110A 278W MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: MAX247™, Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns, Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 195 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 278 W.

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STGY50NC60WD STGY50NC60WD Hersteller : STMicroelectronics cd0014266.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 110A 278000mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STGY50NC60WD STGY50NC60WD Hersteller : STMicroelectronics STGY50NC60WD.pdf Description: IGBT 600V 110A 278W MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: MAX247™
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/240ns
Switching Energy: 365µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 278 W
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