STGYA120M65DF2AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 625W
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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auf Bestellung 70 Stücke:
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Technische Details STGYA120M65DF2AG STMICROELECTRONICS
Description: IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 202 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: MAX247™, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 625 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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STGYA120M65DF2AG | Hersteller : STMicroelectronics | IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STGYA120M65DF2AG | Hersteller : STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625W Automotive 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STGYA120M65DF2AG | Hersteller : STMicroelectronics | STGYA120M65DF2AG THT IGBT transistors |
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