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STGYA120M65DF2AG

STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics

en.DM00318983.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 202 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: MAX247™
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 1200 Stücke:
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Technische Details STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 160A MAX247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 202 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A, Supplier Device Package: MAX247™, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 66ns/185ns, Switching Energy: 1.8mJ (on), 4.41mJ (off), Test Condition: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 420 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 625 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGYA120M65DF2AG STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics en.DM00318983.pdf IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
auf Bestellung 515 Stücke:
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1+16.84 EUR
10+10.42 EUR
100+8.51 EUR
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STGYA120M65DF2AG STGYA120M65DF2AG STMICROELECTRONICS en.DM00318983.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.84 EUR
10+10.42 EUR
100+8.51 EUR
600+8.04 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGYA120M65DF2AG - IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MAX-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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