Produkte > STMICROELECTRONICS > STGYA50H120DF2
STGYA50H120DF2

STGYA50H120DF2 STMicroelectronics

stgya50h120df2.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 535 W
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.01 EUR
10+6.16 EUR
30+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STGYA50H120DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 340 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/284ns, Switching Energy: 2mJ (on), 2.1mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.

Weitere Produktangebote STGYA50H120DF2 nach Preis ab 6.16 EUR bis 14.20 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STGYA50H120DF2 STGYA50H120DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgya50h120df2-2933139.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.15 EUR
10+7.37 EUR
30+7.02 EUR
120+6.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2 STGYA50H120DF2 Hersteller : STMICROELECTRONICS stgya50h120df2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGYA50H120DF2 - IGBT, 100 A, 2.1 V, 535 W, 1.2 kV, MAX-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgya50h120df2.pdf STGYA50H120DF2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.20 EUR
8+9.50 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGYA50H120DF2 Hersteller : STMicroelectronics stgya50h120df2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 535mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH