STH150N10F7-2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
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Technische Details STH150N10F7-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STH150N10F7-2 nach Preis ab 2.59 EUR bis 7.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STH150N10F7-2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STH150N10F7-2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STH150N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STH150N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STH150N10F7-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.19 EUR |
| 10+ | 4.72 EUR |
| 100+ | 3.32 EUR |
| 500+ | 3 EUR |
| STH150N10F7-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
MOSFETs N-channel 100 V, 3,4mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pack
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.33 EUR |
| 10+ | 4.82 EUR |
| 100+ | 3.61 EUR |
| 500+ | 3.22 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |
| 2000+ | 2.64 EUR |
| 5000+ | 2.59 EUR |
| STH150N10F7-2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STH150N10F7-2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STH150N10F7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3400 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: STripFET F7 Series
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)